使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅通用變頻器！-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷

使用基本公司SiC碳化硅MOSFET升級傳統IGBT通用變頻器，實現更高的通用變頻器高功率密度，通用變頻器高溫環(huán)境應用！通用變頻器低電機噪聲控制！取得通用變頻器能耗與性能的最優(yōu)權衡！

 

隨著銅價暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點，使用基本公司碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低系統綜合成本（電感磁性元件，散熱系統，整機重量），電力電子系統的全碳SiC時代，未來已來！傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷基本公司SiC碳化硅MOSFET！

 

傾佳電子（Changer Tech）致力于基本公司國產碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!

 

 

基本公司SiC碳化硅MOSFET單管適用于通用變頻器，比如氣體保護焊，如氬弧焊、二氧化碳氣體保護焊，手工弧焊等。

 

雖然傳統IGBT器件在其低損耗，高開關頻率，高功率密度特征上持續(xù)提升，但是由于自身特點的限制，在部分溫度高，安裝體積緊湊，電機電磁噪聲敏感的工業(yè)傳動場合，已無法適應高功率密度、高溫環(huán)境、低電機噪聲控制的應用要求，在一定程度上IGBT進入發(fā)展瓶頸期。使用基本公司SiC碳化硅MOSFET替代IGBT已經成為行業(yè)潮流!

SiC碳化硅MOSFET通用變頻器支持開環(huán)矢量和閉環(huán)矢量兩種控制方式，載波頻率達到100kHz, 輸出頻率達到10kHz，采用電機諧波電流控制技術，優(yōu)化轉矩脈動控制，實現更低電機轉矩脈動及電機電磁噪聲，DPWM /CPWM智能切換動態(tài)載波調制，可以取得能耗與性能的最優(yōu)權衡。功率器件死區(qū)時間控制方面，偉創(chuàng)變頻器最小死區(qū)時間控制在300ns左右，大幅提升輸出電壓利用率提升10%。

SiC碳化硅MOSFET通用變頻器全功率段采用碳化硅單管及碳化硅單管并聯方案，以獨特軟/硬件配合動態(tài)控制方法，實現單管之間有效均流，在碳化硅MOSFET功率器件異常情況（過流，短路）下快速保護，通過對變頻器中SiC碳化硅MOSFET功率器件驅動參數優(yōu)化，器件與結構布局優(yōu)化，解決變頻器實際使用過程中（由于SiC碳化硅MOSFET高dv/dt產生的變頻器自身及配套使用設計）的電磁干擾問題.

SiC碳化硅MOSFET變頻器可以通過提高運行載波，節(jié)省輸出濾波裝置或縮小電機體積等方式，有效改善現有高速電機驅動產品的痛點。隨著高速空浮、磁浮電機的應用普及，SiC碳化硅MOSFET變頻器憑借技術的優(yōu)勢將迅速占領該類產品應用市場。

 

VVVF變頻、矢量控制變頻、直接轉矩控制變頻都是交—直—交變頻中的一種。其共同缺點是輸入功率因數低，諧波電流大，直流電路需要大的儲能電容，再生能量又不能反饋回電網，即不能進行四象限運行。為此，矩陣式交—交變頻應運而生。由于矩陣式交—交變頻省去了中間直流環(huán)節(jié)，從而省去了體積大、價格貴的電解電容。它能實現功率因數為1，輸入電流為正弦且能四象限運行，系統的功率密度大。

矩陣變頻具有較大優(yōu)勢:一方面矩陣變換器沒有儲能元件,體積可以比同樣容量的兩級結構變流器小;另一方面矩陣變頻不需要電解電容器,也就不需要考慮電解電容壽命問題。

 

采用基本公司SiC碳化硅MOSFET開發(fā)高功率密度變頻器，除通用變頻器一般驅動功能外，同時具備通用變頻器高電力品質、能量回生、高功率密度三個特性。

采用基本公司SiC碳化硅MOSFET的矩陣變頻器為了挑戰(zhàn)降低諧波、改善功因及提升功率密度，具有下列關鍵技術

1. 高頻SiC碳化硅MOSFET驅控電路技術，提升矩陣變頻器頻率由(8kHz-->50kHz)。

2. 改善電力品質，采用DMCSVM換動態(tài)載波調制，降低諧波(33%-->7%)，減少電力損失。

3. 改善功率因數(0.75-->0.98)，提升電力線上所有設備的壽命。

4. 采用基本公司SiC碳化硅MOSFET的矩陣變頻器具有雙向能量轉換特性，電機煞車時，可將能量直接回饋至電網，節(jié)能效果提升20%以上，采用基本公司SiC碳化硅MOSFET的矩陣變頻器在電梯應用能量回生達65%。

5. 采用基本公司SiC碳化硅MOSFET的矩陣變頻器小型化功率底座、散熱及一體化設計，整機功率密度可達4kW/L，充分響應節(jié)能減排。

 

采用基本公司SiC碳化硅MOSFET功率器件的高效、高可靠性變頻器，擺脫長期以來依賴于國外器件供應商的產業(yè)瓶頸，實現碳化硅MOSFET功率器件的國產化替代貢獻自己的行業(yè)力量。

 

 

IGBT芯片技術不斷發(fā)展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導體提供了實現半導體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關損耗，從而提高開關頻率。進一步的，可以優(yōu)化濾波器組件，相應的損耗會下降，從而全面減少系統損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關頻率提5倍（實現顯著的濾波器優(yōu)化），同時保持結溫低于最大規(guī)定值。

 

為了保持電力電子系統競爭優(yōu)勢，同時也為了使最終用戶獲得經濟效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應用功率轉換應用的優(yōu)勢所在。隨著IGBT技術到達發(fā)展瓶頸，加上SiC MOSFET成本持續(xù)下降，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經成為各類型電力電子應用的主流趨勢。

 

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傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN，驅動IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動化、數字化轉型三大方向，致力于服務中國工業(yè)電源，電力電子裝備及新能源汽車產業(yè)鏈。在新型能源體系的發(fā)展趨勢場景下，融合數字技術、電力電子技術、熱管理技術和儲能管理技術，以實現發(fā)電的低碳化、用能的電氣化和用電的高效化，以及“源、網、荷、儲、車”的協同發(fā)展。傾佳電子（Changer Tech）-以技術創(chuàng)新為導向，將不斷創(chuàng)新技術和產品，堅定不移與產業(yè)和合作伙伴攜手，積極參與數字能源產業(yè)生態(tài)，為客戶提供高品質汽車智能互聯連接器與線束，新能源汽車連接器，新能源汽車高壓連接器與線束，直流充電座，耐高壓連接器&插座，創(chuàng)新型車規(guī)級互聯產品，包括線對板、板對板、輸入輸出、電源管理和FFC-FPC連接器，涵蓋2級充電站和可在30分鐘內為EV電池充滿電的3級超快速充電站的高能效電源連接器，用于地下無線充電的IP67級密封連接器。以及以技術創(chuàng)新為導向的各類功率半導體器件：車規(guī)碳化硅(SiC)MOSFET，大容量RC-IGBT模塊，碳化硅(SiC)MOSFET模塊，IGBT模塊，國產碳化硅(SiC)MOSFET，IPM模塊，IGBT單管，混合IGBT單管，三電平IGBT模塊，混合IGBT模塊，光伏MPPT碳化硅MOSFET，伺服驅動SiC碳化硅MOSFET，逆變焊機國產SiC碳化硅MOSFET，OBC車載SiC碳化硅MOSFET，儲能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊，充電樁電源模塊碳化硅MOSFET，國產氮化鎵GaN，隔離驅動IC等產品，傾佳電子（Changer Tech）全面服務于中國新能源汽車行業(yè)，新能源汽車電控系統，電力電子裝備，新能源汽車充電樁系統，全液冷超充，高功率密度風冷充電模塊，液冷充電模塊，歐標充電樁，車載DCDC模塊，國網三統一充電模塊光儲變流器，分布式能源、虛擬電廠、智能充電網絡、V2X、綜合智慧能源、智能微電網智能光儲，智能組串式儲能等行業(yè)應用，傾佳電子（Changer Tech）為實現零碳發(fā)電、零碳數據中心、零碳網絡、零碳家庭等新能源發(fā)展目標奮斗，從而為實現一個零碳地球做出貢獻，邁向數字能源新時代！Changer Tech strives to achieve new energy development goals such as zero-carbon power generation, zero-carbon data centers, zero-carbon networks, and zero-carbon homes, thereby contributing to the realization of a zero-carbon earth and moving towards a new era of digital energy!